Каталог товаров
0 позиций На сумму 0 Список покупок

Транзисторы полевые и IGBT

Подгруппа или Тип
Корпус +
Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V
5
1500
Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A
0.001
260
Цоколёвка ПТ
Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V
0.5
20
Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W
0.15
625
Цена
4
1290
Вид: Списком Плиткой
Сортировать по:
  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    02N50C3 (SPD02N50C3) MOSFET Datasheet

    Артикул:
    80944

    Подгруппа или Тип:
    N-канал

    Корпус:
    D-PAK (TO-252, SC-63)

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    500

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    1.8

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    25

    Место хранения (Радиодетали):
    28000

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    02N60 (NDF02N60ZG) Datasheet

    Артикул:
    86818

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    TO-220F

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    600

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    2.4

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    4

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    57

    Место хранения (Радиодетали):
    28001

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    03N60C3 (SPP03N60C3) Datasheet

    Артикул:
    54779

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    TO-220

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    650

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    3.2

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    3

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    38

    Место хранения (Радиодетали):
    28002

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    03N60S5 (SPP03N60S5) Datasheet

    Артикул:
    25109

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    TO-220

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    600

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    3.2

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    4.5

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    38

    Место хранения (Радиодетали):
    28003

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    04N60C3 (SPP04N60C3) Datasheet

    Артикул:
    26154

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    TO-220

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    650

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    4.5

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    3

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    50

    Место хранения (Радиодетали):
    28005

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    065N06 (RSS065N06) Datasheet

    Артикул:
    54800

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    SO-8-150-1.27

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    60

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    6.5

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    1.7

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    2

    Место хранения (Радиодетали):
    28006

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    06N60T IGT06N60T (G06T60) Datasheet

    Артикул:
    85460

    Подгруппа или Тип:
    IGBT-модуль с N-каналом+Диод

    Корпус:
    TO-220

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    600

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    6

    Цоколёвка ПТ:
    GCE

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    4.6

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    88

    Место хранения (Радиодетали):
    28007

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    06N80C3 (SPD06N80C3) Datasheet

    Артикул:
    53862

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    D-PAK (TO-252, SC-63)

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    800

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    6

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    3

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    83

    Место хранения (Радиодетали):
    28008

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    070N05 (RSS070N05) Datasheet

    Артикул:
    30940

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    SO-8-150-1.27

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    45

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    7

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    2

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    2

    Место хранения (Радиодетали):
    28010

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    070P05 (RSS070P05) Datasheet

    Артикул:
    54182

    Подгруппа или Тип:
    P-канал+Диод

    Корпус:
    SO-8-150-1.27

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    45

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    7

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    1.7

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    2

    Место хранения (Радиодетали):
    28011

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    07N120 (FQA07N120) Datasheet

    Артикул:
    22823

    Подгруппа или Тип:
    IGBT-модуль с N-каналом+Диод

    Корпус:
    D2PAK (TO-263)

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    1200

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    8

    Цоколёвка ПТ:
    GCE

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    4

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    125

    Место хранения (Радиодетали):
    28012

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    07N120 (SGP07N120) Datasheet

    Артикул:
    84990

    Подгруппа или Тип:
    IGBT-модуль с N-каналом

    Корпус:
    TO-220

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    1200

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    16.5

    Цоколёвка ПТ:
    GCE

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    4

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    125

    Место хранения (Радиодетали):
    28015

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    09N03LA (IPD09N03) Datasheet

    Артикул:
    87157

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    D-PAK (TO-252, SC-63)

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    25

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    50

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    1.6

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    63

    Место хранения (Радиодетали):
    28016

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    100N10 Datasheet

    Артикул:
    21838

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    TOP-3L (TO-264, TO-3PL)

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    100

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    75

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    3.5

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    208

    Место хранения (Радиодетали):
    28017

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    10N03L (IPB10N03L) Datasheet

    Артикул:
    24911

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    D2PAK (TO-263)

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    30

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    73

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    1.6

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    107

    Место хранения (Радиодетали):
    28018

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    10N120AND (FGA10N120AND) Datasheet

    Артикул:
    30883

    Подгруппа или Тип:
    IGBT-модуль с N-каналом+Диод

    Корпус:
    TO-3P

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    1200

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    35

    Цоколёвка ПТ:
    GCE

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    6.8

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    298

    Место хранения (Радиодетали):
    28020

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    10N20 (FQPF10N20) Datasheet

    Артикул:
    25256

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    TO-220F

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    200

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    9.5

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    3

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    38

    Место хранения (Радиодетали):
    28021

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    10N60A (G10N60A) Datasheet

    Артикул:
    24394

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    D2PAK (TO-263)

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    600

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    10

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    3

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    156

    Место хранения (Радиодетали):
    28022

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    10N60A (SSH10N60A) Datasheet

    Артикул:
    29717

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    TO-3P

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    600

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    10

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    3

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    156

    Место хранения (Радиодетали):
    28023

  • Чип и дип радиодетали, Даташит::
    10N60A (SSS10N60A) Datasheet

    Артикул:
    21741

    Подгруппа или Тип:
    N-канал+Диод

    Корпус:
    TO-220F

    Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V:
    600

    Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A:
    10

    Цоколёвка ПТ:
    GDS

    Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V:
    3

    Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W:
    156

    Место хранения (Радиодетали):
    28025

1 - 20 из 1452
Страницы:

Лидеры продаж

Нет товаров.

Внимание: Данные, представленные в описании товара, являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты (описание) с сайта производителя.

Для лучшей наглядности, фотографии некоторых товаров содержат часть товара или, наоборот, несколько товарных единиц.