10N120BND (HGTG10N120BND, FGA10N120AND) TO-3P, IGBT-модуль с N-каналом+Диод, Vds(Vce)=1 200V, I

10N120BND (HGTG10N120BND, FGA10N120AND)    TO-3P,   IGBT-модуль с N-каналом+Диод, Vds(Vce)=1 200V, Id(Ic)=35A, Vgs(tr)=6,8V, Pd=298W

Чип и дип радиодетали, Даташит:

10N120AND (FGA10N120AND) Datasheet

Артикул

30883

Подгруппа или Тип

IGBT-модуль с N-каналом+Диод

Корпус

TO-3P

Макс напряжение сток-исток, Vds (Vce) max, V

1200

Макс постоянный ток сток-исток, Id (Ic), A

35

Цоколёвка ПТ

GCE

Среднее напряжение открывания, Vgs(tr) (Vge(th)), V

6.8

Макс рассеиваемая мощность ПТ, Pd, W

298

Место хранения (Радиодетали)

28020

В наличии в Твери:

6 шт

Для уточнения количества по конкретным адресам магазинов — звоните по телефонам, указанным в контактах.